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题名:
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电子器件和集成电路单粒子效应 [ 专著] dian zi qi jian he ji cheng dian lu dan li zi xiao ying / 曹洲，安恒，高欣编著 , |
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ISBN:
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978-7-5682-9656-4 价格： CNY138.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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458页 图 24cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 北京理工大学出版社 出版日期： 2021 |
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内容提要:
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本书系统阐述了电子器件和集成电路空间单粒子效应的基本概念和原理，试验测试的基础理论与方法，单粒子效应对电子系统的影响及防护设计的基本方法，空间单粒子翻转率计算方法及不确定性分析等方面内容。全书共分为七章，主要包括：诱发单粒子效应的空间辐射环境，介绍了能够诱发产生单粒子效应的几种空间辐射因素；辐射与半导体材料相互作用，论述了重离子、质子及脉冲激光与半导体材料的相互作用过程；单粒子效应机理与分类，主要对常见单粒子现象产生的基本过程和特征进行了分析说明；单粒子效应测试方法，详细介绍常见单粒子效应(SEU、SEL、SEB、SEGR、SET、SEFI)测试方法及辐射模拟源，包括有关试验及加固保障测试标准与方法；单粒子效应对器件及系统特性的影响，介绍了单粒子效应引起的系统故障及其模拟注入分析方法；单粒子效应减缓设计，介绍了常见单粒子效应(SEU、SEL、SEB、SET、SEFI)诱发系统故障的防护设计方法；模拟试验与单粒子翻转率计算，介绍了单粒子翻转率计算中涉及到的环境因素、模型和方法及不确定度分析等。 |
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主题词:
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电子器件 单粒子态 |
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主题词:
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集成电路 单粒子态 |
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中图分类法:
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TN 版次： 5 |
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中图分类法:
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O571.24 版次： 5 |
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主要责任者:
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曹洲 cao zhou 编著 |
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主要责任者:
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安恒 an heng 编著 |
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主要责任者:
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高欣 gao xin 编著 |
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附注:
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“十三五”国家重点出版物出版规划项目 国家出版基金项目 国之重器出版工程 国防现代化建设 |